Emerging Resistive Switching Memories - cover

Emerging Resistive Switching Memories

Jianyong Ouyang

  • 11 juli 2016
  • 9783319315706
Wil ik lezen
  • Wil ik lezen
  • Aan het lezen
  • Gelezen
  • Verwijderen

Samenvatting:

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.




We gebruiken cookies om er zeker van te zijn dat je onze website zo goed mogelijk beleeft. Als je deze website blijft gebruiken gaan we ervan uit dat je dat goed vindt. Ok